Электромагнитные воздействия и импульсная электрическая прочность интегральных схем

Петр Константинович Скоробогатов, Константин Алексеевич Епифанцев, Николай Сергеевич Дятлов, Олег Анатольевич Герасимчук

Аннотация


Представлены результаты исследования воздействия серии одиночных импульсов напряжения (ОИН) с энергией ниже порога отказа на современные СБИС, выполненные по субмикронным технологиям. Исследование было проведено на двух типах современных субмикронных СБИС. Полученные результаты подтверждают возможность накопления эффектов повреждения при многократном воздействии ОИН в современных СБИС и позволяют получить зависимость, описывающую аддитивный характер повреждений ИС во время воздействия подпороговых ОИН. Полученная зависимость хорошо согласуется с уравнением Аррениуса, что указывает на тепловой характер повреждений при воздействии серии подпороговых ОИН. Предложена методика проведения испытаний ИС по определению уровня стойкости ИС к воздействию многократных ОИН различной амплитуды.

Ключевые слова


электромагнитные воздействия; подпороговые эффекты; интегральные схемы

Полный текст:

PDF

Литература


1. Voldman S.H. Electrical Overstress (EOS): Devices, Circuits and Systems (Wiley, New York, 2013) 1st ed. 170.

2. Балюк Н.В., Кечиев Л.Н., Степанов П.В.. Мощный электромагнитный импульс: воздействие на электронные
средства и методы защиты. М.: «Группа ИДТ», 2008.

3. Скоробогатов П.К., Герасимчук О.А., Епифанцев К.А. Аддитивные эффекты повреждения цифровых микро-
схем при воздействии на их выводы импульсов напряжения// В сб.: Радиационная стойкость электронных си-
стем "Стойкость-2011". - М.: МИФИ, 2011, вып.14. - С.91-92.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Лицензия Creative Commons
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.