ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ОТКАЗОВ ЦИФРОВЫХ КМОП СБИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ РАДИАЦИИ
Аннотация
Рассмотрены методы обеспечения информационной безопасности, которые основаны на применении функционально-логического моделирования больших цифровых интегральных схем (СБИС) при воздействии ионизирующего излучения. Показано, что кратность узла и мощность спектра более точно описывается при использовании понятия нечеткой кратности. Предложены методы прогнозирования информационной безопасности БИС при воздействии ионизирующего излучения, которые основаны на модели нечеткого цифрового и вероятностного надежностного автоматов. Причем характер их изменения при облучении зависит от многих факторов, включая тип излучения, его интенсивность и спектр, вид критериального параметра характеризующего радиационную стойкость ИС, режим работы микросхем. Поэтому в разных диапазонах уровней или интенсивностей воздействия модель ИС может носить как нечеткий, так и вероятностный характер. Проведения такого сопоставления является необходимым этапом общей процедуры анализа радиационной стойкости ИС.
Ключевые слова
Полный текст:
PDFЛитература
1 Frank M.J. Associativity in a class of operations on spaces of distribution functions. Aeguationes Math 12 (1975), 121-144.
2 V.M. Barbashov, N.S. Trushkin Evaluation performance of digital integrated circuits while exposed to radiation. 2016 IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 151 012011.
3 В.М. Барбашов, Б.И. Подлепецкий, Н.С. Трушкин Моделирование радиационной надежности цифровых устройств на функционально-логическом уровне. Датчики и системы. - 2016.- №4, с. 54-57.
4 Гретцер Г. Общая теория решеток. М.: Мир, 1982. 456 с.
5 Нечеткие множества и теория возможностей. Под ред. Р.Р. Ягера. М.: Радио и связь, 1986. 408 с.
6 Нечеткие множества в моделях управления и искусственного интеллекта. Под ред. Д.А.Поспелова. М.: Наука, 1986. 312 с.
7 Денисенко В.В. Компактные модели МОП - транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике.М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. - 408 с.
8 Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Функционально-логическое моделирование качества функционирования ИС при воздействии радиационных и электромагнитных излучений. Микроэлектроника. 2009, том 38, № 1, с. 34-47.
9 A.V. Sogoyan, A.I. Chumakov, A.Yu. Nikiforov Method for Predicting CMOS Parameter Degradation Due to Ionizing Radiation with Regard to Operating Time and Conditions. Russian Microelectronics. 1999. V. 28. № 4. P. 224-235.
10 V. M. Barbashov, N.S. Trushkin, and O. A. Kalashnikov "Deterministic and nondeterministic failure models of LSI circuits exposed to radiation. Russian Microelectronics, vol. 44, no. 5, pp. 312-315, 2015.
11 А. V. Sogoyan, and V. A. Polunin, "A model for the formation of leakage currents in the dielectrics of MOS structures under the effect of heavy charged particles. Russian Microelectronics, vol. 44, no. 1, pp. 54-59, 2015.
12 Барбашов В.М. Моделирование функциональных отказов цифровых систем при воздействии радиации. Датчики и системы. - 2011. - № 6. - С. 29-34.
DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2018.1.03
Ссылки
- На текущий момент ссылки отсутствуют.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.