Перспективные виды памяти с произвольным доступом и новые уязвимости СВТ на их основе

Александр Михайлович Коротин

Аннотация


В статье производится анализ уязвимостей средств вычислительной техники (СВТ) на основе существующих видов памяти с произвольным доступом и возможных механизмов блокирования эксплуатации таких уязвимостей. Кроме этого, в статье рассматриваются характеристики и принципы работы разных видов RAM.

Ключевые слова


память с произвольным доступом (RAM); энергонезависимая RAM; MRAM; FeRAM; PCM

Полный текст:

PDF

Литература


1. Степаненко О. С. Настройка персонального компьютера. Установки BIOS. Самоучитель. 2-е издание: М.: ООО «И. Д. Вильямс», 2007 – 480с.

2. Kaspersky K. Code Optimization: Effective Memory Usage. LIST Publishing. 2003 – 389с.

3. Keeth B., Baker R. J. DRAM Circuit Design: A Tutorial. John Wiley & Sons. 2001 – 200с.

4. Hynix semiconductor Inc. The future memory technology. Sung-ki Park, October 27. 2011. [Электронный ресурс]: Symantec. URL:
http://www.sematech.org/meetings/archives/symposia/10202/Keynote-Intro/Park_The%20future%20memory%20technologies.
pdf (дата обращения: 23.04.2014).

5. Advanced Digital Integrated Circuits. Lecture 9-12: SRAM Design // EE241. Spring 2013. [Электронный ресурс]: Berkeley. URL:
http://bwrcs.eecs.berkeley.edu/Classes/icdesign/ee241_s13/Lectures/Lecture9-SRAM-annotated.pdf (дата обращения: 23.04.2014).

6. Macronix International Co. Introduction to NAND in Embedded Systems // REV. 2. February 20. 2014. [Электронный ресурс]: Macronix International Co. URL: http://www.macronix.com/Lists/ApplicationNote/Attachments/736/AN0269V2_Introduction%20to%20NAND%20in%20Embedded%20Systems-0220.pdf

7. Пахомов С. Флэш-память на любой вкус // КомпьютерПресс. 2004. Ноябрь. [Электронный ресурс]: КомпьютерПресс. URL: http://compress.ru/article.aspx?id=12401 (дата обращения: 23.04.2014).

8. Kwon W., King Liu T. J., Subramanian V. Novel Technologies for Next Generation Memory // Electrical Engineering and
Computer Sciences University of California at Berkeley. July 25. 2013.

9. Щербаченко Л., Каранков В., Марчук С. Исследование поляризации сегнетоэлектриков // ГОУ ВПО ИГУ. Кафедра
общей физики. 2005. [Электронный ресурс]: Российское образование, федеральный портал. URL: http://window.edu.ru/
resource/168/30168/files/isu046.pdf (дата обращения: 23.04.2014).

10. Muneed M., Akhram I., Nazir A. Non-volatile Random Access Memory Technology (MRAM, FeRAM, PRAM) // Smart
Electronic Materials.

11. Thanigai P. FRAM Quality and Reliability // SLAA526. March 2012. [Электронный ресурс]: TehasInstruments. URL:
http://www.ti.com/lit/an/slaa526/slaa526.pdf (дата обращения: 23.04.2014).

12. Bohac C. Comparing Technologies: MRAM vs. FRAM // Application Note 02130. March 2013. [Электронный ресурс]: Everspin Technology. URL: http://www.everspin.com/PDF/EST02130_Comparing_Technologies_FRAM_vs_MRAM_AppNote.pdf (дата
обращения: 23.04.2014).

13. Apalkov D., Khvalkovskiy A., Watts S., Nikitin V., Tang X., Lottis D., Moon K., Luo X., Chen E., Ong A.,
Driskill-Smith A., Krounbi M. Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) // ACM Journal on
Emerging Technologies in Computing Systems (JETC). 2013. May 7. Vol. 9 (2).

14. Halderman J. A., Schoen S. D., Heninger N., Clarkson W., Paul W., Calandrino J. A., Feldman A. J., Appelbaum J.,
Felten E. W. Lest We Remember: Cold Boot Attacks on Encryption Keys // USENIX Security Symposium. July 2008.
[Электронный ресурс]: Amazon. URL: http://citpsite.s3-website-us-east-1.amazonaws.com/oldsite-htdocs/pub/coldboot.pdf
(дата обращения: 23.04.2014).


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Лицензия Creative Commons
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.